Nature 正刊· Jacob Steele·· 2026-10-07AI 评分31
基于硅掺杂 α-(AlxGa1−x)2O3 的 7-eV 带隙半导体
A 7-eV bandgap semiconductor based on silicon-doped α-(Al x Ga 1− x ) 2 O 3
AI 摘要
研究人员利用亚氧化物分子束外延生长出硅掺杂的 α-(AlxGa1−x)2O3 薄膜，其带隙超过 7.0 eV。基于该材料制备出肖特基二极管和场效应晶体管，其沟道具有超大带隙。 brief: no
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Nature, Published online: 07 October 2026; doi:10.1038/s41586-026-11085-3
Suboxide molecular-beam epitaxy is used to grow silicon-doped α-(AlxGa1−x)2O3 films with bandgaps exceeding 7.0 eV, enabling the fabrication of a Schottky diode and a field-effect transistor with colossal-bandgap channels.
来源：Nature 正刊 · nature.com
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