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财联社电报·· 29 天前AI 评分42

长鑫存储 4F² 架构 DRAM 取得关键进展,年底推出新一代 DDR5 RDIMM

长鑫技术新突破:4F²架构产品预计年底亮相

AI 摘要

长鑫存储 4F² DRAM 架构研发近期取得关键进展,总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍了公司在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的探索,并宣布预计年底推出融合上述技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。 brief: yes

来源:财联社电报 ·

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