Everspin拓展MRAM应用至AI服务器等领域

Everspin Technologies计划将磁阻随机存取存储器（MRAM）从现有工业应用扩展到AI服务器、数据中心和卫星系统，以满足AI工作负载对更快、持久内存的需求。 Everspin总裁兼CEO Sanjeev Aggarwal认为MRAM是解决现有内存限制的唯一方案。 他声称，客户考虑MRAM是因为其性能和可靠性，以及无法获得某些NOR闪存产品。

TrendForce报告估计，2026年上半年NOR闪存合同价格累计上涨100%至120%，AI相关需求消耗了有限的供应，导致NOR闪存成为首批经历更长时间交付和分配的产品之一。 报告还提到，供应商尚未宣布显著产能扩张。 Aggarwal表示，MRAM有机会填补NOR闪存短缺造成的空白，这一机会到2028或2029年可能达到30亿美元。 他说Everspin正在使用台积电的制造工艺开发针对这一市场的产品。 他提到，现在人们无法购买NOR闪存，因为亚洲的大部分晶圆厂已从NOR闪存转向DRAM，利润率更高。

他说，MRAM之前的价格大约是NOR闪存的3倍，但在供应受限的情况下，价格差距已缩小到大约是NOR闪存的1.5倍。 他说，如果需要使用两个NOR闪存芯片，那么使用一个MRAM可能更具成本效益。 Everspin的经销商已经开始要求交叉参考信息，以帮助客户在特定NOR闪存组件不可用时识别MRAM替代品。 他还提到，其他非易失性存储器技术也可能不适合某些应用。 例如，铁电随机存取存储器（FRAM）在他描述的产品中可用密度较低，而非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）可能在可靠性和工作条件方面存在权衡。

Aggarwal讨论的部件的额定工作温度范围为-40°C至125°C。 他引用可靠性、类似SRAM和DRAM的性能以及读写耐久性作为客户选择MRAM的原因。 根据美国证券交易委员会（SEC）提交的年度报告，Everspin 2025年的收入为5520万美元，同比增长9.5%，从2024年的5040万美元增长。 Aggarwal表示，他预计公司将在三到四年内实现收入翻倍，NOR闪存机会以及来自数据中心、航空航天和国防、近地轨道（LEO）卫星和工业自动化领域的需求将为其增长目标做出贡献。

在加利福尼亚州圣克拉拉的存储网络行业协会（SNIA）开发者大会上，Everspin展示了与计算快速链路（CXL）控制器结合的MRAM模块。 该设置创建了一个可通过CXL.mem协议（该协议允许系统通过CXL连接访问内存）访问的持久内存池。 Aggarwal表示，该演示旨在展示MRAM如何作为动态随机存取存储器（DRAM）和计算之间额外的内存层运行。