Renesas 推出首款 100V 增强型 GaN 功率晶体管，开关 FOM 最高降低 63%

Renesas Electronics 推出了其首个 100V 增强型（E-mode）分立 GaN 功率晶体管系列。该公司表示，RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC 低压 GaN FET 实现了业界领先的硬开关和软开关品质因数（FOM）。与同类 GaN 器件相比，它们的硬开关 FOM 最多低 35%，软开关 FOM 最多低 63%。

这些 GaN FET 采用保持硅兼容占位面积的 FCLGA 封装，使设计人员无需大幅返工 PCB 即可从硅 MOSFET 布局迁移。RTP100E005G1FL 和 RTP100E2P6G1FL 的典型导通电阻分别为 5 mΩ 和 2.6 mΩ。双面散热的 RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC 的导通电阻分别为 1.8 mΩ 和 1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管在系统层面可实现最多低 40–70% 的开关损耗以及最高两倍的功率密度。

该 100V 系列面向高功率密度应用，包括 AI 数据中心、人形机器人和工厂自动化。封装选项和广泛的导通电阻值使这些晶体管能够满足不同功率等级和应用需求，包括同步整流、多相降压转换和工业电机驱动。

新型低压 GaN 功率晶体管现已上市，并配有相应的评估板。

Renesas Electronics 

文章100V GaN FET 降低开关 FOM 首次发布于 EDN。