UC Berkeley、三星与英特尔提出纳机电栅控增益单元 eDRAM

加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了《纳米机电栅控增益单元 eDRAM》。

摘要节选：

“存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）微缩的放缓，重新引发了人们对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（DRAM）的兴趣。虽然增益单元具有高密度和能效优势，但它们存在保持时间有限、寄生耦合以及需要升压写入电压等问题。本工作提出了一种用于嵌入式 DRAM 的纳米机电栅控增益单元。”

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Finnan, Collin P., Choong-Ho Rhee, Tahir Ghani, and Tsu-Jae King-Liu. “Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM.” IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits (2026): 223–230. https://doi.org/10.1109/JXCDC.2026.3717204. 开放获取许可。